FDC3601N 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FDC3601N
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:PowerTrench?
- 零件状态:有源
- FET类型:2 N-通道(双)
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):1A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):500 毫欧 @ 1A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):153pF @ 50V
- 功率-最大值:700mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- FDC3601N优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。