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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SuperSOT?-6
- 技术参数：MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
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FDC658AP 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDC658AP
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：PowerTrench?
- 零件状态：有源
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 4A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.1nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：470pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：SuperSOT?-6
- FDC658AP优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
