FDG6322C 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FDG6322C
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 和 P 沟道
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):220mA,410mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4 欧姆 @ 220mA,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):0.4nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9.5pF @ 10V
- 功率-最大值:300mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- FDG6322C优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。