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  • 制造厂商:安森美
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:6-MicroFET(2x2)
  • 技术参数:MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
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FDMA905P 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FDMA905P
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:PowerTrench?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):16 毫欧 @ 10A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):29nC @ 6V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3405pF @ 6V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.4W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:6-MicroFET(2x2)
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