产品参考图片
- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerWDFN
- 技术参数：FET ENGR DEV-NOT REL
- 丰富的安森美公司产品，安森美芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
FDMD8430 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDMD8430
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：FET ENGR DEV-NOT REL
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：PowerTrench?
- 零件状态：停产
- FET类型：2 N 沟道（双）共源
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Ta），95A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.12 毫欧 @ 28A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：90nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5035pF @ 15V
- 功率-最大值：2.1W（Ta），29W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerWDFN
- FDMD8430优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
