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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerWDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
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FDMD86100 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDMD86100
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：PowerTrench?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）共源
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.5 毫欧 @ 10A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2060pF @ 50V
- 功率-最大值：2.2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerWDFN
- FDMD86100优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
