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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
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FDMS3668S 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDMS3668S
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：PowerTrench?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A，18A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 13A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1765pF @ 15V
- 功率-最大值：1W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerTDFN
- FDMS3668S优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
