产品参考图片
- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
- 丰富的安森美公司产品，安森美芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
FDW2521C 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDW2521C
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：PowerTrench?
- 零件状态：停产
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.5A，3.8A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：21 毫欧 @ 5.5A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1082pF @ 10V
- 功率-最大值：600mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- FDW2521C优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
