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- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-3P-3,SC-65-3
- 技术参数:IGBT 1200V 30A 186W TO3P
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FGA15N120ANTDTU-F109 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FGA15N120ANTDTU-F109
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:IGBT 1200V 30A 186W TO3P
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- IGBT类型:NPT 和沟道
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):30A
- 电流-集电极脉冲(Icm):45A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,15A
- 功率-最大值:186W
- 开关能量:3mJ(开),600μJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:120nC
- 25°C时Td(开/关)值:15ns/160ns
- 测试条件:600V,15A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):330ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-3P-3,SC-65-3
- FGA15N120ANTDTU-F109优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。
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