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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
- 技术参数：IGBT 1200V 30A 186W TO3P
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FGA15N120ANTDTU-F109 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FGA15N120ANTDTU-F109
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1200V 30A 186W TO3P
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：NPT 和沟道
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：45A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，15A
- 功率-最大值：186W
- 开关能量：3mJ（开），600μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：120nC
- 25°C时Td（开/关）值：15ns/160ns
- 测试条件：600V，15A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：330ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-3P-3，SC-65-3
- FGA15N120ANTDTU-F109优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
