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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
- 技术参数：IGBT 1000V 50A 156W TO3P
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FGA50N100BNTDTU 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FGA50N100BNTDTU
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1000V 50A 156W TO3P
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：最後搶購
- IGBT类型：NPT 和沟道
- 电压-集射极击穿（最大值）：1000V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：50A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：100A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，60A
- 功率-最大值：156W
- 开关能量：-
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：275nC
- 25°C时Td（开/关）值：-
- 测试条件：-
- 反向恢复时间(trr)：1.5μs
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-3P-3，SC-65-3
- FGA50N100BNTDTU优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
