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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
- 技术参数：IGBT 650V 60A 176W TO3PN
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FGA6530WDF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FGA6530WDF
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT 650V 60A 176W TO3PN
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：最後搶購
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：90A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A
- 功率-最大值：176W
- 开关能量：960μJ（开），162μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：37.4nC
- 25°C时Td（开/关）值：12ns/42.4ns
- 测试条件：400V，30A，6 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：81ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-3P-3，SC-65-3
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