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- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-3P-3,SC-65-3
- 技术参数:IGBT 300V 90A 219W TO3P
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FGA90N30TU 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FGA90N30TU
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:IGBT 300V 90A 219W TO3P
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):300V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):90A
- 电流-集电极脉冲(Icm):220A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,20A
- 功率-最大值:219W
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:87nC
- 25°C时Td(开/关)值:-
- 测试条件:-
- 反向恢复时间(trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-3P-3,SC-65-3
- FGA90N30TU优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。
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