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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 技术参数：IGBT NPT 600V 10A D2PAK
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FGB5N60UNDF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FGB5N60UNDF
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT NPT 600V 10A D2PAK
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：最後搶購
- IGBT类型：NPT
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：10A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：15A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，5A
- 功率-最大值：73.5W
- 开关能量：80μJ（开），70μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：12.1nC
- 25°C时Td（开/关）值：5.4ns/25.4ns
- 测试条件：400V，5A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：35ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- FGB5N60UNDF优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
