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  • 制造厂商:安森美
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 技术参数:IGBT 500V 27A DPAK-3
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FGD3050G2V 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FGD3050G2V
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 500V 27A DPAK-3
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:*
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):500V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):32A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):-
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A
  • 功率-最大值:150W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:逻辑
  • 栅极电荷:22nC
  • 25°C时Td(开/关)值:-
  • 测试条件:-
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • FGD3050G2V优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。
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