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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
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FGH40T120SMD-F155 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FGH40T120SMD-F155
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：80A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：160A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
- 功率-最大值：555W
- 开关能量：2.7mJ（开），1.1mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：370nC
- 25°C时Td（开/关）值：40ns/475ns
- 测试条件：600V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：65ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
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