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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3
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FGH60T65SQD-F155 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FGH60T65SQD-F155
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：120A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：240A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，60A
- 功率-最大值：333W
- 开关能量：227μJ（開），100μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：79nC
- 25°C时Td（开/关）值：20.8ns/102ns
- 测试条件：400V，15A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：34.6ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
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