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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3 变式
- 技术参数：IGBT 650V 75A TO247
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FGHL75T65MQD 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FGHL75T65MQD
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT 650V 75A TO247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：80A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：300A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，75A
- 功率-最大值：375W
- 开关能量：1.94mJ（开），1.55mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：145nC
- 25°C时Td（开/关）值：33ns/176ns
- 测试条件：400V，75A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：36ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3 变式
- FGHL75T65MQD优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
