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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：EPM7
- 技术参数：IGBT MODULE 600V 75A 310W EPM7
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FP7G75US60 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FP7G75US60
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT MODULE 600V 75A 310W EPM7
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 配置：半桥
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：75A
- 功率-最大值：310W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，75A
- 电流-集电极截止（最大值）：250μA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：4.515nF @ 30V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：无
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：EPM7
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