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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：30-DIP 模块
- 技术参数：IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
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FPF2C110BI07AS2 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FPF2C110BI07AS2
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 配置：半桥
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：40A
- 功率-最大值：300W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，40A
- 电流-集电极截止（最大值）：250μA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：-
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：是
- 工作温度：-40°C ~ 150°C
- 安装类型：通孔
- 封装：30-DIP 模块
- FPF2C110BI07AS2优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
