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  • 制造厂商:安森美
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:D2PAK(TO-263AB)
  • 技术参数:MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
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FQB8P10TM 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FQB8P10TM
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:QFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):8A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):530 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):470pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.75W(Ta),65W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:D2PAK(TO-263AB)
  • FQB8P10TM优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。
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