FQB8P10TM 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FQB8P10TM
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:QFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):8A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):530 毫欧 @ 4A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 10V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):470pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.75W(Ta),65W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:D2PAK(TO-263AB)
- FQB8P10TM优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。