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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-252，（D-Pak）
- 技术参数：MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
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FQD10N20LTM 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FQD10N20LTM
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：QFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：200V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.6A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 3.8A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：830pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），51W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：TO-252，（D-Pak）
- FQD10N20LTM优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
