产品参考图片
- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D-Pak
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
- 丰富的安森美公司产品，安森美芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
FQD1N60TM 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FQD1N60TM
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：QFET?
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：150pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），30W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：D-Pak
- FQD1N60TM优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
