FQP34N20L 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FQP34N20L
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:QFET?
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):200V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):31A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):75 毫欧 @ 15.5A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):72nC @ 5V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3900pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):180W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:TO-220-3
- FQP34N20L优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。