- 制造厂商:安森美
- 类别封装:FET - 阵列,8-SOIC
- 技术参数:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP
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FW349-TL-E 技术参数详情:
- 制造商产品型号: FW349-TL-E
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 功能总体简述: MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP
- 系列: -
- FET 类型: N 和 P 沟道
- FET 功能: 逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss): 45V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5A,4.5A
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 37 毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 18.1nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 860pF @ 20V
- 功率 - 最大值: 1.8W
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商器件封装: 8-SOP
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