H11F3SR2M 技术参数详情:
- 制造商产品型号:H11F3SR2M
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD
- 系列:光隔离器 - 晶体管,光电输出
- 零件状态:有源
- 通道数:1
- 电压-隔离:7500Vpk
- 电流传输比(最小值):-
- 电流传输比(最大值):-
- 接通/关断时间(典型值):45μs,45μs(最大)
- 上升/下降时间(典型值):-
- 输入类型:DC
- 输出类型:MOSFET
- 电压-输出(最大值):15V
- 电流-输出/通道:-
- 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V
- 电流-DC正向(If)(最大值):60mA
- Vce饱和压降(最大):-
- 工作温度:-40°C ~ 100°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:6-SMD,鸥翼
- H11F3SR2M优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。