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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
- 技术参数：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
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HGT1S20N36G3VL 技术参数详情：
- 制造商产品型号：HGT1S20N36G3VL
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：395V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：37.7A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：-
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 5V，20A
- 功率-最大值：150W
- 开关能量：-
- 输入类型：逻辑
- 栅极电荷：28.7nC
- 25°C时Td（开/关）值：-/15μs
- 测试条件：300V，10A，25欧姆，5V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
- HGT1S20N36G3VL优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
