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- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 技术参数:IGBT 600V 17A 70W D2PAK
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HGT1S3N60A4DS9A 技术参数详情:
- 制造商产品型号:HGT1S3N60A4DS9A
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:IGBT 600V 17A 70W D2PAK
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):17A
- 电流-集电极脉冲(Icm):40A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,3A
- 功率-最大值:70W
- 开关能量:37μJ(开),25μJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:21nC
- 25°C时Td(开/关)值:6ns/73ns
- 测试条件:390V,3A,50 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):29ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- HGT1S3N60A4DS9A优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。
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