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HGTG20N60A4D 图片
  • 制造厂商:安森美
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 600V 70A 290W TO247
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HGTG20N60A4D 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:HGTG20N60A4D
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 600V 70A 290W TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:不適用於新設計
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):70A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):280A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A
  • 功率-最大值:290W
  • 开关能量:105μJ(开),150μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:142nC
  • 25°C时Td(开/关)值:15ns/73ns
  • 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):35ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • HGTG20N60A4D优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。
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