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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：二极管 - 整流器 - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 技术参数：DIODE GEN PURP 1200V 18A TO263AB
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ISL9R18120S3ST 技术参数详情：
- 制造商产品型号：ISL9R18120S3ST
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：DIODE GEN PURP 1200V 18A TO263AB
- 系列：二极管 - 整流器 - 单
- 产品系列：Stealth?
- 零件状态：有源
- 二极管类型：标准
- 电压-DC反向(Vr)（最大值）：1200V
- 电流-平均整流(Io)：18A
- 不同If时电压-正向(Vf)：3.3V @ 18A
- 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间(trr)：300ns
- 不同Vr时电流-反向泄漏：100μA @ 1200V
- 不同?Vr、F时电容：-
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：TO-263AB
- ISL9R18120S3ST优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
