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- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - JFET,封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 技术参数:JFET N-CH 35V 0.35W TO92
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J112G 技术参数详情:
- 制造商产品型号:J112G
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:JFET N-CH 35V 0.35W TO92
- 系列:晶体管 - JFET
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 电压-击穿(V(BR)GSS):35V
- 漏源电压(Vdss):-
- 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):5mA @ 15V
- 漏极电流(Id)-最大值:-
- 不同Id时电压-截止(VGSoff):1V @ 1μA
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
- 电阻-RDS(On):50 Ohms
- 功率-最大值:350mW
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- J112G优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。
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