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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - JFET，封装：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
- 技术参数：JFET N-CH 35V 625MW TO92
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J113_D26Z 技术参数详情：
- 制造商产品型号：J113_D26Z
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：JFET N-CH 35V 625MW TO92
- 系列：晶体管 - JFET
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 电压-击穿(V(BR)GSS)：35V
- 漏源电压（Vdss）：-
- 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss)：2mA @ 15V
- 漏极电流(Id)-最大值：-
- 不同Id时电压-截止(VGSoff)：500mV @ 1μA
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 电阻-RDS(On)：100 Ohms
- 功率-最大值：625mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
- J113_D26Z优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
