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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 技术参数：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
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KSH112GTM_SB82051 技术参数详情：
- 制造商产品型号：KSH112GTM_SB82051
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：2A
- 电压-集射极击穿（最大值）：100V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，4A
- 电流-集电极截止（最大值）：20μA
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：1000 @ 2A，3V
- 功率-最大值：1.75W
- 频率-跃迁：25MHz
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- KSH112GTM_SB82051优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
