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MCH3421-TL-E 图片
  • 制造厂商:安森美
  • 类别封装:FET - 单,3-SMD
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3
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MCH3421-TL-E 技术参数详情:
  • 制造商产品型号: MCH3421-TL-E
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
  • 漏源极电压(Vdss): 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 800mA(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 890 毫欧 @ 400mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 4.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 165pF @ 20V
  • 功率 - 最大值: 900mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: 3-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装: 3-MCPH
  • MCH3421-TL-E优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。
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