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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-204AA，TO-3
- 技术参数：TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
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MJ11016G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MJ11016G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
- 电压-集射极击穿（最大值）：120V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：4V @ 300mA，30A
- 电流-集电极截止（最大值）：1mA
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：1000 @ 20A，5V
- 功率-最大值：200W
- 频率-跃迁：4MHz
- 工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-204AA，TO-3
- MJ11016G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
