MJD117T4 技术参数详情:
- 制造商产品型号:MJD117T4
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
- 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 产品系列:*
- 零件状态:停产
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流-集电极(Ic)(最大值):2A
- 电压-集射极击穿(最大值):100V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):2V @ 8mA,2A
- 电流-集电极截止(最大值):20μA
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V
- 功率-最大值:20W
- 频率-跃迁:25MHz
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- MJD117T4优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。