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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - JFET，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技术参数：JFET N-CH 40V 350MW SOT23
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MMBFJ201 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MMBFJ201
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：JFET N-CH 40V 350MW SOT23
- 系列：晶体管 - JFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 电压-击穿(V(BR)GSS)：40V
- 漏源电压（Vdss）：-
- 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss)：200μA @ 20V
- 漏极电流(Id)-最大值：-
- 不同Id时电压-截止(VGSoff)：300mV @ 10nA
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 电阻-RDS(On)：-
- 功率-最大值：350mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- MMBFJ201优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
