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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：SOT-723
- 技术参数：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
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MMBTH10M3T5G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MMBTH10M3T5G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：NPN
- 电压-集射极击穿（最大值）：25V
- 频率-跃迁：650MHz
- 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
- 增益：-
- 功率-最大值：265mW
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：60 @ 4mA，10V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-723
- MMBTH10M3T5G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
