MMSZ30T1G 技术参数详情:
- 制造商产品型号:MMSZ30T1G
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
- 系列:二极管 - 齐纳 - 单
- 零件状态:有源
- 电压-齐纳(标称值)(Vz):30V
- 容差:±5%
- 功率-最大值:500mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms
- 不同Vr时电流-反向泄漏:50nA @ 21V
- 不同If时电压-正向(Vf):900mV @ 10mA
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOD-123
- MMSZ30T1G优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。