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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技术参数：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
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MMUN2135LT1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MMUN2135LT1G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：PNP - 预偏压
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器-基极(R1)：2.2 kOhms
- 电阻器-发射极(R2)：47 kOhms
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
- 电流-集电极截止（最大值）：500nA
- 频率-跃迁：-
- 功率-最大值：246mW
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- MMUN2135LT1G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
