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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 技术参数：NPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92
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MPS6561 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MPS6561
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：NPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：NPN
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：600mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：20V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：500mV @ 35mA，350mA
- 电流-集电极截止（最大值）：100nA
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：50 @ 350mA，1V
- 功率-最大值：625mW
- 频率-跃迁：60MHz
- 工作温度：-
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- MPS6561优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
