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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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NCV5106ADR2G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NCV5106ADR2G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：同步
- 驱动器数：2
- 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：10V ~ 20V
- 逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2.3V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：250mA，500mA
- 输入类型：反相，非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：600V
- 上升/下降时间（典型值）：85ns，35ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- NCV5106ADR2G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
