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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：单路IGBT，D2PAK
- 技术参数：IGBT 430V 18A 115W D2PAK3
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NGB18N40ACLBT4G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NGB18N40ACLBT4G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT 430V 18A 115W D2PAK3
- 系列：-
- IGBT 类型：-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：430V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：18A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：50A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.5V @ 4V，15A
- 功率 - 最大值：115W
- Switching Energy：-
- 输入类型：逻辑
- Gate Charge：-
- 25°C 时 Td（开/关）值：-
- Test Condition：-
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件封装：D2PAK
- NGB18N40ACLBT4G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
