- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 技术参数:IGBT 430V 15A 115W DPAK
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NGD18N40CLBT4 技术参数详情:
- 制造商产品型号:NGD18N40CLBT4
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:IGBT 430V 15A 115W DPAK
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):430V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):15A
- 电流-集电极脉冲(Icm):50A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.5V @ 4V,15A
- 功率-最大值:115W
- 开关能量:-
- 输入类型:逻辑
- 栅极电荷:-
- 25°C时Td(开/关)值:-
- 测试条件:-
- 反向恢复时间(trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- NGD18N40CLBT4优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。