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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：IGBT - 单路，TO-252-3，DPak
- 技术参数：IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
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NGD8209NT4G 技术参数详情：
- 制造商产品型号: NGD8209NT4G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 功能总体简述: IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
- 系列: -
- IGBT 类型: -
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 445V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 12A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm): 30A
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.3V @ 4.5V，10A
- 功率 - 最大值: 94W
- 开关能量: -
- 输入类型: 逻辑
- 栅极电荷: -
- 25°C 时 Td（开/关）值: -
- 测试条件: -
- 反向恢复时间（trr）: -
- 产品封装: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 安装类型: 表面贴装
- 供应商器件封装: DPAK
- NGD8209NT4G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
