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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 技术参数：IGBT 600V 20A DPAK
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NGTB10N60R2DT4G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NGTB10N60R2DT4G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 20A DPAK
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：20A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：40A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，10A
- 功率-最大值：72W
- 开关能量：412μJ（开），140μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：53nC
- 25°C时Td（开/关）值：48ns/120ns
- 测试条件：300V，10A，30 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：90ns
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- NGTB10N60R2DT4G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
