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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247
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NGTB30N120FL2WG 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NGTB30N120FL2WG
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，30A
- 功率-最大值：452W
- 开关能量：2.6mJ（开），700μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：220nC
- 25°C时Td（开/关）值：98ns/210ns
- 测试条件：600V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：240ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
- NGTB30N120FL2WG优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
