- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:模具
- 技术参数:IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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NGTD17T65F2SWK 技术参数详情:
- 制造商产品型号:NGTD17T65F2SWK
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- IGBT类型:沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿(最大值):650V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):-
- 电流-集电极脉冲(Icm):160A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
- 功率-最大值:-
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:-
- 25°C时Td(开/关)值:-
- 测试条件:-
- 反向恢复时间(trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:模具
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