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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
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NSS40300DDR2G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NSS40300DDR2G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：2 PNP（双）
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：3A
- 电压-集射极击穿（最大值）：40V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：170mV @ 200mA，2A
- 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：180 @ 1A，2V
- 功率-最大值：653mW
- 频率-跃迁：100MHz
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- NSS40300DDR2G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
