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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列，封装：6-WDFN
- 技术参数：TRANS NPN 20V SOT23-3
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NSV20200DMTWTBG 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NSV20200DMTWTBG
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：TRANS NPN 20V SOT23-3
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：2 PNP（双）
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：-
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：390mV @ 200mA，2A
- 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：250 @ 100mA，2V
- 功率-最大值：-
- 频率-跃迁：155MHz
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：6-WDFN
- NSV20200DMTWTBG优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
