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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-247-4
- 技术参数：TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247
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NTH4L020N120SC1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NTH4L020N120SC1
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：TRANS SJT N-CH 1200V 102A TO247
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：1200V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：102A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28毫欧 @ 60A，20V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 20mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：220nC @ 20V
- Vgs（最大值）：+25V，-15V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2943pF @ 800V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：510W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-247-4
- NTH4L020N120SC1优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
